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WEP CVP21電化(huà)學C-V剖面濃度測量儀

描(miáo)述 :WEP CVP21電化(huà)學C-V剖面濃度測量儀
德(dé)國WEP公司(sī)的CVP21電化(huà)學C-V剖面濃度測試儀可高效 、准(zhǔn)確的測量半導體材料(結構 ,層)中的摻雜濃度分(fèn)布 。選用合(hé)適的電解液與材料接觸 、腐蝕 ,從而得到(dào)材料的摻雜濃度分(fèn)布 。電容(róng)值電壓掃(sǎo)描(miáo)和腐蝕過程由軟件全(chéng)自動控(kòng)制 。
電化(huà)學ECV剖面濃度測試儀主要用於半導體材料的研(yán)究及開發 ,其原(yuán)理是使用電化(huà)學電容(róng)-電壓法(fǎ)來(lái)測量半導體材料的摻雜濃度分(fèn)布 。電化(huà)學ECV(

更新時間 :2020-11-01
訪問次數 :4268
詳情介紹
品(pǐn)牌其他品(pǐn)牌產地類別進口
應用領域化(huà)工 ,能源 ,電子/電池 ,包裝/造紙(zhǐ)/印刷 ,電氣

WEP CVP21電化(huà)學C-V剖面濃度測量儀

德(dé)國WEP公司(sī)的CVP21電化(huà)學C-V剖面濃度測試儀可高效 、准(zhǔn)確的測量半導體材料(結構 ,層)中的摻雜濃度分(fèn)布 。選用合(hé)適的電解液與材料接觸 、腐蝕 ,從而得到(dào)材料的摻雜濃度分(fèn)布 。電容(róng)值電壓掃(sǎo)描(miáo)和腐蝕過程由軟件全(chéng)自動控(kòng)制 。
電化(huà)學ECV剖面濃度測試儀主要用於半導體材料的研(yán)究及開發 ,其原(yuán)理是使用電化(huà)學電容(róng)-電壓法(fǎ)來(lái)測量半導體材料的摻雜濃度分(fèn)布 。電化(huà)學ECV(CV-Profiler , C-V Profiler)也是分(fèn)析或(huò)發展半導體光-電化(huà)學濕法(fǎ)蝕刻(PEC Etching)很好的選擇 。CVP21電化(huà)學C-V剖面濃度測量儀適用於評(píng)估和控(kòng)制在半導體生產中的外延過程並(bìng)且(qiě)以被使用在多種(zhǒng)不同的材料上 ,例如 :硅 、鍺 、III-V族化(huà)合(hé)物半導體(如GaN) 。

CVP21的系統特點 :

  • 堅固可靠的模塊(kuài)化(huà)系統結構 ,光學 、電子和化(huà)學部分(fèn)相對(duì)獨立 ;
  • 的測量電路(lù)模塊(kuài) ;
  • 強力的控(kòng)制軟件 ,系統操(cāo)作 ,使用簡便;
  • 完善的售後服務(wù)體系;
  • 提(tí)供免費樣品(pǐn)測試並(bìng)提(tí)供測試報告 。
  • 保(bǎo)修期 :2年 ,終身維修 。
  • 對(duì)用戶承諾*樣品(pǐn)測試 ,每月1次 。

 

技(jì)術參數 : 
CVP21電化(huà)學CV剖面濃度分(fèn)析儀完美結合(hé)了(le)WEP在電化(huà)學方分(fèn)布測試方面超過30年的經驗和世界上的電路(lù)系統 。全(chéng)自動 ,特別適用於新材料 ,如氮化(huà)鎵 、碳化(huà)硅材料等 。
可有效檢測 :外延材料 、擴散 、離子注入 。
載流子濃度測量範圍 :1011/cm3~1021/cm3  ;
深度分(fèn)辨率(lǜ) :低至1nm ;
模塊(kuài)化(huà)系統結構 :
 - 拓撲型結構 ;
 - 實時監控(kòng)腐蝕過程 ;
 - 適於微小樣品(pǐn)及大尺寸的晶圓 ;
- 全(chéng)自動化(huà)系統 ;

 

主要特點 : 
CVP21電化(huà)學ECV是半導體載流子濃度分(fèn)布完美的解決方案 :
1.  CVP21應用範圍寬 ,可以用於絕大多數的半導體材料 。
- IV族半導體如 :硅(Si) 、鍺(Ge) 、碳化(huà)硅(SiC)等…
- III-V族化(huà)合(hé)物半導體如 :砷化(huà)鎵(GaAs) 、磷化(huà)銦(InP) 、磷化(huà)鎵(GaP)等…
- 三(sān)元III-V族化(huà)合(hé)物半導體如 :鋁(lǚ)鎵砷(AlGaAs) 、鎵銦磷(GaInP) 、鋁(lǚ)銦砷(AlInAs)等…
- 四元III-V族化(huà)合(hé)物半導體如 :鋁(lǚ)鎵銦磷(AlGaInP)等…
- 氮化(huà)物如 :氮化(huà)鎵(GaN) 、鋁(lǚ)鎵氮(AlGaN) 、銦鎵氮(InGaN) 、鋁(lǚ)銦氮(AlInN)等…
- II-VI族化(huà)合(hé)物半導體如 :氧化(huà)鋅(ZnO) 、碲化(huà)鎘(CdTe) 、汞鎘碲(HgCdTe)等…
- 其他不常見半導體材料(可以聯繫我們進行樣品(pǐn)測量) 。
2.  CVP21可測試不同形態(tài)的樣品(pǐn) :多層結構的薄膜材料 、基(jī)底沒有限(xiàn)制(基(jī)底導電或(huò)絕緣均可) 、標準(zhǔn)樣品(pǐn)尺寸從4*2mm ~ 8英(yīng)寸晶圓(更小尺寸樣品(pǐn)請預先咨詢我們) 。
3.  CVP21擁有很好的分(fèn)辨率(lǜ)範圍 :
* 載流子濃度分(fèn)辨率(lǜ)範圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分(fèn)辨率(lǜ)範圍從1nm ~ 100um (依樣品(pǐn)類型 、樣品(pǐn)質量決定)
4.  CVP21是一套完整(zhěng)的電化(huà)學ECV測量系統 :
* 系統可靠性高(儀器的電子 、機械 、光學 、液體傳動幾個(gè)主要部分(fèn)均經特殊設計(jì))
* 免校准(zhǔn)的系統(*自校准(zhǔn)的電子系統 ,電纜電容(róng)均無須用戶再次校准(zhǔn))
* 易(yì)於使用(全(chéng)用戶管理軟件優化(huà) ,在實驗室環(huán)境或(huò)生產環(huán)境均易(yì)於使用)
* 照相機鏡頭(tóu)控(kòng)制(過程在線(sī)由彩色(sè)照相機鏡頭(tóu)控(kòng)制 ;每次測量後 ,鏡頭(tóu)數據均可取出(chū) 。)
* 實驗菜單(測量菜單預定義 ,優先權(quán)用戶可以很容(róng)易(yì)修改或(huò)改進測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化(huà)學樣品(pǐn)池自動裝載/卸載/再裝載 ,優先權(quán)用戶易(yì)於修改 ,進行樣品(pǐn)dry-in/dry-out處理 。)

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