WEP CVP21電化學C-V剖面(miàn)濃(nóng)度測量儀 德國WEP公司(sī)的CVP21電化學C-V剖面(miàn)濃(nóng)度測試儀可高(gāo)效(xiào) 、準確的測量半導(dǎo)體材料（結構 ，層）中的摻雜濃(nóng)度分布 。選(xuǎn)用(yòng)合(hé)適(shì)的電解液(yè)與材料接觸 、腐蝕 ，從而得到材料的摻雜濃(nóng)度分布 。電容值電壓(yā)掃描(miáo)和腐蝕過程由軟(ruǎn)件全自動控制 。 電化學ECV剖面(miàn)濃(nóng)度測試儀主要用(yòng)於半導(dǎo)體材料的研究及(jí)開發(fā) ，其原(yuán)理是(shì)使用(yòng)電化學電容-電壓(yā)法(fǎ)來測量半導(dǎo)體材料的摻雜濃(nóng)度分布 。電化學ECV（

開爾文探針（Kelvin Probe）是(shì)一(yī)種(zhǒng)非(fēi)接觸無(wú)損震蕩電容裝(zhuāng)置 ，用(yòng)於測量導(dǎo)體材料的功函數(shù)（Work Function）或(huò)半導(dǎo)體 、絕緣表面(miàn)的表面(miàn)勢（Surface Potential） 。材料表面(miàn)的功函數(shù)通(tōng)常(cháng)由上層的1-3層原(yuán)子或(huò)分子決定 ，所(suǒ)以開爾文探針是(shì)一(yī)種(zhǒng)的表面(miàn)分析(xī)技術 。主要型號 ：KP020 （單(dān)點開爾文探針） ，SKP5050（掃描(miáo)開爾文探針） 。

光(guāng)學薄膜測厚儀 薄膜表面(miàn)或(huò)界面(miàn)的反射光(guāng)會與從基底(dǐ)的反射光(guāng)相(xiàng)干涉 ，干涉的發(fā)生(shēng)與膜厚及(jí)折光(guāng)系數(shù)等有關 ，因此可通(tōng)過計算得到薄膜的厚度 。光(guāng)干涉法(fǎ)是(shì)一(yī)種(zhǒng)無(wú)損 、且快速的光(guāng)學薄膜厚度測量技術 ，我們(men)的薄膜測量系統採(cǎi)用(yòng)光(guāng)干涉原(yuán)