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描(miáo)述 :原子層沈積系統(tǒng) ,包括 :傳(chuán)統(tǒng)的熱原子層沈積系統(tǒng)(TALD) 、等離(lí)子增強(qiáng)原子層沈積系統(tǒng)(PEALD) 、粉(fěn)末樣品的原子層沈積系統(tǒng)(Power-ALD) 。
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類(lèi)別 | 進口(kǒu) |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化(huà)工 ,能(néng)源(yuán) ,電(diàn)子/電(diàn)池 ,包裝(zhuāng)/造(zào)紙/印刷(shuā) ,電(diàn)氣 |
原子層沈積系統(tǒng) ,包括 :傳(chuán)統(tǒng)的熱原子層沈積系統(tǒng)(TALD) 、等離(lí)子增強(qiáng)原子層沈積系統(tǒng)(PEALD) 、粉(fěn)末樣品的原子層沈積系統(tǒng)(Power-ALD) 。
儀器簡介(jiè)
:
原子層沈積(Atomic Layer Deposition
,ALD)
,也稱為原子層外(wài)延(Atomic Layer Epitaxy
,ALE)
,或(huò)原子層化(huà)學(xué)氣相沈積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition
,ALCVD)
。
原子層沈積是在一個加熱反(fǎn)應的襯(chèn)底上(shàng)連續引入至少兩種氣相前驅體(tǐ)源(yuán)
,化(huà)學(xué)吸附至表面飽和時自動終止
,適(shì)當的過程溫(wēn)度阻礙了分子在表面的物理吸附
。一個基本的原子層沈積循環包括四個步驟
:脈衝A
,清洗(xǐ)A
,脈衝B和清洗(xǐ)B
。沈積循環不斷重復直(zhí)至獲得所需(xū)的薄膜厚度
,是制(zhì)作(zuò)納米結構從而形(xíng)成納米器件的工具
。
ALD的優點包括
:
1. 可以通過控制(zhì)反(fǎn)應週期數(shù)控制(zhì)薄膜的厚度
,從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜
;
2. 由於前驅體(tǐ)是飽和化(huà)學(xué)吸附
,保證生成大(dà)面積均勻性的薄膜
;
3. 可生成*的三維保形(xíng)性化(huà)學(xué)計量(liàng)薄膜
,作(zuò)為台階覆蓋(gài)和納米孔材料的塗層
;
4. 可以沈積多組(zǔ)份(fèn)納米薄層和混合氧化(huà)物
;
5. 薄膜生長可在低溫(wēn)下進行(室溫(wēn)到400度以下)
;
6. 可廣(guǎng)泛(fàn)適(shì)用於各種形(xíng)狀的襯(chèn)底
;
7. 原子層沈積生長的金屬氧化(huà)物薄膜可用於柵極電(diàn)介(jiè)質
、電(diàn)致發(fā)光顯示器絕緣體(tǐ)
、電(diàn)容器電(diàn)介(jiè)質和MEMS器件
,生長的金屬氮化(huà)物薄膜適(shì)合於擴散勢壘
。
技術參數(shù)
:
基片尺寸
:4英吋
、6英吋
、8英吋
、12英吋
;
加熱溫(wēn)度
:25℃—400℃(可選配更高)
;
均勻性
: < 1%
;
前驅體(tǐ)數(shù)
:4路(可選配6路)
;
兼容性
: 可兼容100級(jí)超(chāo)淨室
;
尺寸
:950mm x 700mm
;
ALD
,PE-ALD
,粉(fěn)末ALD技術
;
原子層沈積ALD的應用包括
:
1) High-K介(jiè)電(diàn)材料 (Al2O3
, HfO2
, ZrO2
, PrAlO
, Ta2O5
, La2O3)
;
2) 導(dǎo)電(diàn)門電(diàn)極 (Ir
, Pt
, Ru
, TiN)
;
3) 金屬互聯(lián)結構 (Cu
, WN
, TaN ,Ru
, Ir)
;
4) 催化(huà)材料 (Pt
, Ir
, Co
, TiO2
, V2O5)
;
5) 納米結構 (All ALD Material)
;
6) 生物醫學(xué)塗層 (TiN
, ZrN
, TiAlN
, AlTiN)
;
7) ALD金屬 (Ru
, Pd , Ir
, Pt
, Rh
, Co
, Cu
, Fe
, Ni)
;
8) 壓電(diàn)層 (ZnO
, AlN
, ZnS)
;
9) 透明(míng)電(diàn)學(xué)導(dǎo)體(tǐ) (ZnO:Al
, ITO);
10) 紫(zǐ)外(wài)阻擋層 (ZnO
, TiO2);
11) OLED鈍化(huà)層 (Al2O3);
12) 光子晶體(tǐ) (ZnO
, ZnS:Mn
, TiO2
, Ta3N5);
13) 防反(fǎn)射濾光片 (Al2O3
, ZnS
, SnO2
, Ta2O5)
;
14) 電(diàn)致發(fā)光器件 (SrS:Cu
, ZnS:Mn
, ZnS:Tb
, SrS:Ce);
15) 工藝(yì)層如蝕刻柵欄
、離(lí)子擴散柵欄等 (Al2O3
, ZrO2);
16) 光學(xué)應用如太陽能(néng)電(diàn)池
、激光器
、光學(xué)塗層
、納米光子等 (AlTiO
, SnO2
, ZnO);
17) 傳(chuán)感器 (SnO2
, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑(jì)
、腐蝕阻擋層 (Al2O3
, ZrO2
, WS2)
;
目前可以沈積的材料包括
:
1) 氧化(huà)物: Al2O3
, TiO2
, Ta2O5
, ZrO2
, HfO2
, SnO2
, ZnO
, La2O3
, V2O5
, SiO2
,...
2) 氮化(huà)物: AlN
, TaNx
, NbN
, TiN
, MoN
, ZrN
, HfN
, GaN
, ...
3) 氟化(huà)物: CaF2
, SrF2
, ZnF2
, ...
4) 金屬: Pt
, Ru
, Ir
, Pd
, Cu
, Fe
, Co
, Ni
, ...
5) 碳化(huà)物: TiC
, NbC
, TaC
, ...
6) 復合結構材料: AlTiNx
, AlTiOx
, AlHfOx
, SiO2:Al
, HfSiOx
, ...
7) 硫化(huà)物: ZnS , SrS
, CaS
, PbS
, ...