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原子層沈積系統(tǒng)

描(miáo)述 :原子層沈積系統(tǒng) ,包括 :傳(chuán)統(tǒng)的熱原子層沈積系統(tǒng)(TALD) 、等離(lí)子增強(qiáng)原子層沈積系統(tǒng)(PEALD) 、粉(fěn)末樣品的原子層沈積系統(tǒng)(Power-ALD) 。

更新時間(jiān) :2020-11-01
訪問(wèn)次數(shù) :3356
詳情介(jiè)紹
品牌其他品牌產地類(lèi)別進口(kǒu)
應用領域化(huà)工 ,能(néng)源(yuán) ,電(diàn)子/電(diàn)池 ,包裝(zhuāng)/造(zào)紙/印刷(shuā) ,電(diàn)氣

原子層沈積系統(tǒng)

原子層沈積系統(tǒng) ,包括 :傳(chuán)統(tǒng)的熱原子層沈積系統(tǒng)(TALD) 、等離(lí)子增強(qiáng)原子層沈積系統(tǒng)(PEALD) 、粉(fěn)末樣品的原子層沈積系統(tǒng)(Power-ALD) 。

儀器簡介(jiè) :
原子層沈積(Atomic Layer Deposition ,ALD) ,也稱為原子層外(wài)延(Atomic Layer Epitaxy ,ALE) ,或(huò)原子層化(huà)學(xué)氣相沈積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition ,ALCVD) 。
原子層沈積是在一個加熱反(fǎn)應的襯(chèn)底上(shàng)連續引入至少兩種氣相前驅體(tǐ)源(yuán) ,化(huà)學(xué)吸附至表面飽和時自動終止 ,適(shì)當的過程溫(wēn)度阻礙了分子在表面的物理吸附 。一個基本的原子層沈積循環包括四個步驟 :脈衝A ,清洗(xǐ)A ,脈衝B和清洗(xǐ)B 。沈積循環不斷重復直(zhí)至獲得所需(xū)的薄膜厚度 ,是制(zhì)作(zuò)納米結構從而形(xíng)成納米器件的工具 。
ALD的優點包括 :
1. 可以通過控制(zhì)反(fǎn)應週期數(shù)控制(zhì)薄膜的厚度 ,從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜 ;
2. 由於前驅體(tǐ)是飽和化(huà)學(xué)吸附 ,保證生成大(dà)面積均勻性的薄膜 ;
3. 可生成*的三維保形(xíng)性化(huà)學(xué)計量(liàng)薄膜 ,作(zuò)為台階覆蓋(gài)和納米孔材料的塗層 ;
4. 可以沈積多組(zǔ)份(fèn)納米薄層和混合氧化(huà)物 ;
5. 薄膜生長可在低溫(wēn)下進行(室溫(wēn)到400度以下) ;
6. 可廣(guǎng)泛(fàn)適(shì)用於各種形(xíng)狀的襯(chèn)底 ;
7. 原子層沈積生長的金屬氧化(huà)物薄膜可用於柵極電(diàn)介(jiè)質 、電(diàn)致發(fā)光顯示器絕緣體(tǐ) 、電(diàn)容器電(diàn)介(jiè)質和MEMS器件 ,生長的金屬氮化(huà)物薄膜適(shì)合於擴散勢壘 。


 
技術參數(shù) :
基片尺寸 :4英吋 、6英吋 、8英吋 、12英吋 ;
加熱溫(wēn)度 :25℃—400℃(可選配更高) ;
均勻性 : < 1% ;
前驅體(tǐ)數(shù) :4路(可選配6路) ;
兼容性 : 可兼容100級(jí)超(chāo)淨室 ;
尺寸 :950mm x 700mm ;
ALD ,PE-ALD ,粉(fěn)末ALD技術 ;


 
原子層沈積ALD的應用包括 :
1) High-K介(jiè)電(diàn)材料 (Al2O3 , HfO2 , ZrO2 , PrAlO , Ta2O5 , La2O3) ;
2) 導(dǎo)電(diàn)門電(diàn)極 (Ir , Pt , Ru , TiN) ;
3) 金屬互聯(lián)結構 (Cu , WN , TaN ,Ru , Ir) ;
4) 催化(huà)材料 (Pt , Ir , Co , TiO2 , V2O5) ;
5) 納米結構 (All ALD Material) ;
6) 生物醫學(xué)塗層 (TiN , ZrN , TiAlN , AlTiN) ;
7) ALD金屬 (Ru , Pd , Ir , Pt , Rh , Co , Cu , Fe , Ni) ;
8) 壓電(diàn)層 (ZnO , AlN , ZnS) ;
9) 透明(míng)電(diàn)學(xué)導(dǎo)體(tǐ) (ZnO:Al , ITO);
10) 紫(zǐ)外(wài)阻擋層 (ZnO , TiO2);
11) OLED鈍化(huà)層 (Al2O3);
12) 光子晶體(tǐ) (ZnO , ZnS:Mn , TiO2 , Ta3N5);
13) 防反(fǎn)射濾光片 (Al2O3 , ZnS , SnO2 , Ta2O5) ;
14) 電(diàn)致發(fā)光器件 (SrS:Cu , ZnS:Mn , ZnS:Tb , SrS:Ce);
15) 工藝(yì)層如蝕刻柵欄 、離(lí)子擴散柵欄等 (Al2O3 , ZrO2);
16) 光學(xué)應用如太陽能(néng)電(diàn)池 、激光器 、光學(xué)塗層 、納米光子等 (AlTiO , SnO2 , ZnO);
17) 傳(chuán)感器 (SnO2 , Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑(jì) 、腐蝕阻擋層 (Al2O3 , ZrO2 , WS2) ;


 
目前可以沈積的材料包括 :
1) 氧化(huà)物: Al2O3 , TiO2 , Ta2O5 , ZrO2 , HfO2 , SnO2 , ZnO , La2O3 , V2O5 , SiO2 ,...
2) 氮化(huà)物: AlN , TaNx , NbN , TiN , MoN , ZrN , HfN , GaN , ...
3) 氟化(huà)物: CaF2 , SrF2 , ZnF2 , ...
4) 金屬: Pt , Ru , Ir , Pd , Cu , Fe , Co , Ni , ...
5) 碳化(huà)物: TiC , NbC , TaC , ...
6) 復合結構材料: AlTiNx , AlTiOx , AlHfOx , SiO2:Al , HfSiOx , ...
7) 硫化(huà)物: ZnS , SrS , CaS , PbS , ...

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